Моя заявка (0)
IXFH12N90P, MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004636802
Артикул
IXFH12N90P
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
6.5
Длина
16.26 mm
Серия
IXFH12N90
Высота
21.46 mm
Цена по запросу
(от 1 460 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 12А, 380Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г6.5
Длина16.26 mm
СерияIXFH12N90
Высота21.46 mm
Ширина5.3 mm
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада68 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора56 nC
Время нарастания34 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности380 W
Id - непрерывный ток утечки12 A
Коммерческое обозначениеHyperFET
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток900 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток900 V
Пороговое напряжение на затворе6.5V@1mA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения50 ns
Типичное время задержки при включении32 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток6.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.8.2 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт380
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)420mΩ@12A, 10V

Техническая документация