IXFH12N100P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 12А, 463Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062595403
- Артикул
- IXFH12N100P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 36 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 1 129,57 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 36 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 6 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Range | Polar HiPerFET |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 80 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | TO-247 |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 463 W |
| Drain Source Voltage Vds | 1kV |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 12A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 4.8 S |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 6.5V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |