Моя заявка (0)

IXFH120N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 480Вт, TO247-3, 140нс

IXFH120N25X3, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 480Вт, TO247-3, 140нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022105618
Артикул
IXFH120N25X3
Бренд
Ixys Corporation
Вид
MOSFET
Тип
полевой
Вес, г
6.24
Корпус
to247
Цена по запросу
(от 3 280 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 120А, 480Вт, TO247-3, 140нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

ВидMOSFET
Типполевой
Вес, г6.24
Корпусto247
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада12 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора122 nC
Время нарастания32 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности480 W
Id - непрерывный ток утечки120 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток12 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения100 ns
Типичное время задержки при включении29 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А120
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.54 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт480
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация