HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 120 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH120N20P
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8010576830
- Артикул
- IXFH120N20P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO247-3
- Width
- 5.3mm
- Series
- HiperFET, Polar
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 4 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстродействующим встроенным диодом (HiPerFET™) от IXYS - широкий ассортимент современныx дискретныx силовыx МОП-транзисторов от IXYSundefined
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Width | 5.3mm |
| Series | HiperFET, Polar |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Вес, г | 193.5 |
| Gate charge | 152nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | IXYS |
| Package Type | TO-247 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 120A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 714W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| On-state resistance | 22mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 200V |
| Reverse recovery time | 100ns |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 714 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 22 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 120 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 120 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 714 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |