Моя заявка (0)

IXFH110N10P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 110А, 480Вт, TO247-3

IXFH110N10P, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 110А, 480Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061909353
Артикул
IXFH110N10P
Бренд
Ixys Corporation
Series
HiperFET, Polar
Тип
PolarHT HiPerFET Power MOSFET
Pin Count
3
Вес, г
6.25
Цена по запросу
(от 1 006,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 110 Amps 100V 0.015 Rds

Технические параметры

SeriesHiperFET, Polar
ТипPolarHT HiPerFET Power MOSFET
Pin Count3
Вес, г6.25
Длина16.26 mm
СерияIXFH110N10P
Package TypeTO-247
Высота21.46 mm
Ширина5.3 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада25 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation480 W
Typical Gate Charge @ Vgs110 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-247-3
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора110 nC
Maximum Drain Source Resistance15 mΩ
Время нарастания25 ns
Maximum Continuous Drain Current110 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности480 W
Id - непрерывный ток утечки110 A
Коммерческое обозначениеPolarHT, HiPerFET
Размер фабричной упаковки30
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток15 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения65 ns
Типичное время задержки при включении21 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.30 S

Техническая документация