IXFH10N80P, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 10 A, 1.1 ohm, TO-247, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004136246
- Артикул
- IXFH10N80P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 4
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 300Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 1 710 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 10А, 300Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 4 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 300Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 1.1Ом |
| Линейка Продукции | Polar HiPerFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 300Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.1Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 Ом |