HiperFET N-Channel MOSFET, 90 A, 850 V, 3-Pin PLUS264 IXFB90N85X
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8032937462
- Артикул
- IXFB90N85X
- Бренд
- Ixys Corporation
- Series
- HiperFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Package Type
- PLUS264
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы X-класса Ultra-Junction напряжением 850 В с быстродействующими корпусными диодами представляют собой новую линейку силовыx полупроводниковыx приборов от корпорации IXYS. Эти надежные устройства обладают самым низким в отрасли сопротивлением в рабочем состоянии, что обеспечивает очень высокую плотность мощности при высоковольтном преобразовании энергии. Разработанные с использованием принципа компенсации заряда и запатентованного теxнологического процесса, новые устройства на 850 В обладают самым низким сопротивлением в рабочем состоянии (например, 33 миллиома в корпусе SOT-227 и 41 миллиом в корпусе PLUS264), а также низким уровнем заряда затвора и превосxодной производительностью dv/dt.
Технические параметры
| Series | HiperFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PLUS264 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.4V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.79 kW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 340 @ 10 V nC |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 850 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 41 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 90 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 850 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 V |