IXFB82N60P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 600В, 82А, 1250Вт, PLUS264™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044123224
- Артикул
- IXFB82N60P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- PLUS264™
- Mounting
- THT
- Technology
- HiPerFET™, Polar™
- Вес, г
- 10.21
Цена по запросу
(от 4 860 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | PLUS264™ |
| Mounting | THT |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Вес, г | 10.21 |
| Gate charge | 240nC |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 82A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 1.25kW |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Drain-source voltage | 600V |
| Reverse recovery time | 200ns |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |