IXFB44N100P, Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 44А, 1250Вт, PLUS264™
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070690030
- Артикул
- IXFB44N100P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar Power MOSFET HiPerFET
- Brand:
- IXYS
- Fall Time:
- 56 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 6 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы HiPerFET™ IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и в резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой прочностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и более высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти сильноточные МОП-транзисторы HiPerFET выпускаются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные типы.
Технические параметры
| Type: | Polar Power MOSFET HiPerFET |
| Brand: | IXYS |
| Fall Time: | 56 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 68 ns |
| Вес, г | 10 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | PLUS-264-3 |
| Product Range | Polar HiPerFET Series |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 305 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | PLUS264 |
| Factory Pack Quantity: | 25 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW |
| Drain Source Voltage Vds | 1kV |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Continuous Drain Current Id | 44A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 60 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 90 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 6.5V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V |