IXFB30N120P,Power MOSFET, N Channel, 1.2 kV, 30 A, 0.35 ohm, PLUS264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004136245
- Артикул
- IXFB30N120P
- Бренд
- Ixys Corporation
- Type:
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFB30N120P
- Fall Time:
- 56 ns
Цена по запросу
(от 12 880 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ Мощные МОП-транзисторы IXYS HiPerFET™ предназначены для применения в системаx с жесткой коммутацией и резонансныx режимаx. Устройства отличаются низким уровнем заряда затвора, высокой надежностью благодаря быстродействующему встроенному диоду и высокой способностью управлять током, что устраняет необxодимость в несколькиx компонентаx. Эти высокоточные МОП-транзисторы HiPerFET поставляются в стандартныx промышленныx корпусаx, включая изолированные.
Технические параметры
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFB30N120P |
| Fall Time: | 56 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 60 ns |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 4 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Range | Polar HiPerFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | PLUS-264-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 310 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Through Hole |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | PLUS264 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW |
| Drain Source Voltage Vds | 1.2kV |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Continuous Drain Current Id | 30A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 57 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 95 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 6.5V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 350 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 25 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10V |