IXFB150N65X2, Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 150А, 1560Вт, 190нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8054237363
- Артикул
- IXFB150N65X2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- PLUS264™
- Mounting
- THT
- Technology
- HiPerFET™, X2-Class
- Вес, г
- 10.23
Цена по запросу
(от 6 630 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, X2-Class, полевой, 650В, 150А, 1560Вт, 190нс Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | PLUS264™ |
| Mounting | THT |
| Technology | HiPerFET™, X2-Class |
| Вес, г | 10.23 |
| Gate charge | 355nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 150A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 1.56kW |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±30V |
| On-state resistance | 17mΩ |
| Drain-source voltage | 650V |
| Reverse recovery time | 260ns |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V@2.5mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1560 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 330mΩ@10V, 10A |