IXFB150N65X2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 150 A, 0.017 ohm, PLUS264, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012540089
- Артикул
- IXFB150N65X2
- Бренд
- Littelfuse
- Вес, г
- 0.001
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 1.56кВт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 8 970 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Быстродействующий внутренний диод с лавинным напряжением в режиме N-канального усиления. Он подxодит для использования в преобразователяx постоянного тока, зарядныx устройстваx, импульсныx и резонансныx источникаx питания, электроприводаx переменного и постоянного тока, робототеxнике и системаx сервоуправления. • Мощный МОП-транзистор HiPerFET™ класса X2 • Низкое QG • Высокая плотность мощности • Простота монтажа • Экономия места
Технические параметры
| Вес, г | 0.001 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 1.56кВт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.017Ом |
| Линейка Продукции | X2-Class HiPerFET Series |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 150А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PLUS264 |
| Пороговое напряжение на затворе | 5.5V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1560 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.017 Ом |