Моя заявка (0)

IXFA7N100P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 7А, 300Вт, TO263, 300нс

IXFA7N100P, Транзистор N-MOSFET, Polar™, полевой, 1кВ, 7А, 300Вт, TO263, 300нс

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062595402
Артикул
IXFA7N100P
Бренд
Ixys Corporation
MSL
MSL 1-Unlimited
Case
TO263
Type:
Polar HiPerFET Power MOSFET
Brand:
IXYS
Цена по запросу
(от 859,73 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
CaseTO263
Type:Polar HiPerFET Power MOSFET
Brand:IXYS
MountingSMD
Fall Time:44 ns
Packaging:Tube
Rise Time:49 ns
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Вес, г1.5
Gate charge47nC
No. of Pins3Pins
Technology:Si
Channel TypeN Channel
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Drain current7A
Manufacturer:IXYS
Product RangePolar HiPerFET
Product Type:MOSFETs
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Power dissipation300W
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:47 nC
Type of transistorN-MOSFET
Gate-source voltage±30V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance1.9Ω
Transistor MountingSurface Mount
Drain-source voltage1kV
Transistor Polarity:N-Channel
Reverse recovery time300ns
Transistor Case StyleTO-263(D2PAK)
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:300 W
Drain Source Voltage Vds1kV
Operating Temperature Max150°C
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Continuous Drain Current Id7A
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Id - Continuous Drain Current:7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:3.6 S
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Rds On - Drain-Source Resistance:1.9 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:6 V

Техническая документация