IXFA7N100P,Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003754059
- Артикул
- IXFA7N100P
- Бренд
- Ixys Corporation
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Case
- TO263
- Type:
- Polar HiPerFET Power MOSFET
- Brand:
- IXYS
Цена по запросу
(от 1 820 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Polar HiPerFET IXYS Мощные МОП-транзисторы Polar™ HiPerFETs сочетают в себе преимущества семейства Polar Standard с более быстродействующим корпусным диодом. Время обратного восстановления диодов faster body (trr) сокращено, что делает иx пригодными для управления двигателями с фазосдвигающими мостами и в системаx бесперебойного питания (ИБП). Это семейство МОП-транзисторов обеспечивает самый низкий уровень RDS (on), низкий RthJC, низкое Qg и расширенные возможности dv/dt.
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Case | TO263 |
| Type: | Polar HiPerFET Power MOSFET |
| Brand: | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 44 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 49 ns |
| Technology | HiPerFET™, Polar™ |
| Вес, г | 4 |
| Gate charge | 47nC |
| No. of Pins | 3Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-263 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 7A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Range | Polar HiPerFET |
| Product Type: | MOSFETs |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Power dissipation | 300W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 1.9Ω |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Drain-source voltage | 1kV |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 300ns |
| Transistor Case Style | TO-263(D2PAK) |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 300 W |
| Drain Source Voltage Vds | 1kV |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Continuous Drain Current Id | 7A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.6 S |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 6V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.9 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10V |