IXFA3N120, MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005629243
- Артикул
- IXFA3N120
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO263
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 1
- Gate charge
- 39nC
Цена по запросу
(от 1 390 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1,2кВ, 3А, 200Вт, TO263 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 39nC |
| Channel Type | N Channel |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 3A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | tube |
| Power Dissipation | 200Вт |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 4.5Ом |
| Линейка Продукции | HiPerFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Рассеиваемая Мощность | 200Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4.5Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |