Моя заявка (0)

IXFA34N65X3, Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; полевой; 650В; 34А; Idm: 48А; 446Вт

IXFA34N65X3, Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; полевой; 650В; 34А; Idm: 48А; 446Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062517576
Артикул
IXFA34N65X3
Бренд
Ixys Corporation
Brand:
IXYS
Product:
MOSFETs
Fall Time:
6 ns
Packaging:
Tube
Цена по запросу
(от 1 580 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ класса X3 IXYS Мощные МОП-транзисторы HiPerFET™ класса X3 - это N-канальные МОП-транзисторы с лавинным режимом работы, работающие в режиме усиления. МОП-транзисторы X3-класса обеспечивают высокую плотность мощности и просты в монтаже, и все это в компактном корпусе. МОП-транзисторы IXYS X3-класса идеально подxодят для импульсныx и резонансныx источников питания.

Технические параметры

Brand:IXYS
Product:MOSFETs
Fall Time:6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:10 ns
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:IXYS
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-263-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:29 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:50
Pd - Power Dissipation:446 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:24 ns
Typical Turn-Off Delay Time:47 ns
Id - Continuous Drain Current:34 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:13 S
Rds On - Drain-Source Resistance:100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5.2 V

Техническая документация