IXFA180N10T2, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 180А, 480Вт, TO263, 66нс
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066091514
- Артикул
- IXFA180N10T2
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO263
- Brand:
- IXYS
- Series:
- IXFA180N10
- Mounting
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Быстрые зарядные устройства постоянного тока для электромобилей Зарядные станции постоянного тока предназначены для преобразования энергии переменного тока в постоянный ток, который затем может подаваться непосредственно в аккумуляторную систему автомобиля для быстрой зарядки - за 30 минут или меньше. Поскольку преобразование переменного тока в постоянный осуществляется на зарядной станции, эти устройства могут обеспечивать более высокий уровень мощности (от 50 до 350 кВт и более) для автомобиля по сравнению с зарядными станциями переменного тока. При работе с мощностью от десятков до сотен киловатт решающее значение имеют эффективное преобразование, надежность системы и безопасность пользователя.
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Brand: | IXYS |
| Series: | IXFA180N10 |
| Mounting | SMD |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | HiPerFET |
| Вес, г | 1.54 |
| Gate charge | 185nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | IXYS |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 180A |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Power dissipation | 480W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 185 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 6mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Reverse recovery time | 66ns |
| Pd - Power Dissipation: | 480 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 180 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 50 |