Моя заявка (0)
IXFA12N50P, MOSFETs 500V 12A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8006230501
Артикул
IXFA12N50P
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO263
Тип
Polar Power MOSFET HiPerFET
Mounting
SMD
Technology
HiPerFET™, Polar™
Цена по запросу
(от 682 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 500V 12A

Технические параметры

CaseTO263
ТипPolar Power MOSFET HiPerFET
MountingSMD
TechnologyHiPerFET™, Polar™
Вес, г79
Длина10.66 mm
СерияIXFA12N50P
Gate charge29nC
ManufacturerIXYS
Polarisationunipolar
Высота16 mm
Ширина4.83 mm
Drain current12A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation200W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance0.5Ω
Drain-source voltage500V
ТехнологияSi
Reverse recovery time300ns
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада20 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаIXYS
Упаковка / блокTO-263-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора29 nC
Время нарастания27 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности200 W
Id - непрерывный ток утечки12 A
Коммерческое обозначениеHiPerFET
Размер фабричной упаковки50
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток500 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Пороговое напряжение на затворе2.2V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения65 ns
Типичное время задержки при включении22 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А12
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.7.5 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация