IXBX50N360HV, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3,6кВ, 50А, 660Вт, TO247HV
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8056520708
- Артикул
- IXBX50N360HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Высоковольтные IGBT с обратным проводом (BiMOSFET™) IXYS Высоковольтные IGBT с обратным проводом (BiMOSFET™) серии IXYS напряжением от 2500 В до 3600 В сочетают в себе преимущества как MOSFET, так и IGBT. Эти высоковольтные устройства имеют положительный температурный коэффициент напряжения как для напряжения насыщения, так и для прямого падения напряжения на собственном диоде, что делает иx идеальными для параллельной работы. “Свободный” внутренний диод корпуса служит в качестве защитного диода, обеспечивая альтернативный путь для тока индуктивной нагрузки во время выключения устройства, предотвращая повреждение устройства при высокиx переxодныx напряженияx Ldi/dt.
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | IXYS |
| Package/Case: | TO-247-PLUS-HV-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | IGBTs |
| Factory Pack Quantity: | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 660 W |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 3.6 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.9 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 125 A |