IXBT16N170A, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066374863
- Артикул
- IXBT16N170A
- Бренд
- Ixys Corporation
- Case
- TO268
- Mounting
- SMD
- Technology
- BiMOSFET™
- Вес, г
- 4.02
Цена по запросу
(от 3 980 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO268 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Case | TO268 |
| Mounting | SMD |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Вес, г | 4.02 |
| Gate charge | 65nC |
| Manufacturer | IXYS |
| Turn-on time | 43ns |
| Turn-off time | 370ns |
| Kind of package | tube |
| Collector current | 10A |
| Power dissipation | 150W |
| Type of transistor | IGBT |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Pulsed collector current | 40A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |