Моя заявка (0)

IXBH9N160G, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,6кВ, 5А, 100Вт, TO247-3

IXBH9N160G, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,6кВ, 5А, 100Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017527861
Артикул
IXBH9N160G
Бренд
Ixys Corporation
Вес, г
8.4
Корпус
to247
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 965 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,6кВ, 5А, 100Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT

Технические параметры

Вес, г8.4
Корпусto247
СтруктураMOSFET
Особенности-
Пороговое напряжение на затворе5V@4mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В