IXBH6N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 6А, 75Вт, TO247-3
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038186570
- Артикул
- IXBH6N170
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 6.11
- Collector Current (Ic)
- 12A
- Power Dissipation (Pd)
- 75W
- Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge)
- 17nC
Цена по запросу
(от 1 650 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 6А, 75Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 6.11 |
| Collector Current (Ic) | 12A |
| Power Dissipation (Pd) | 75W |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 17nC |
| Diode Reverse Recovery Time (Trr) | 1.08us |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 1.7kV |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 3.4V@15V, 6A |