IXBH12N300, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 12А, 160Вт, TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019805664
- Артикул
- IXBH12N300
- Бренд
- Ixys Corporation
- Brand:
- IXYS
- Series:
- Very High Voltage
- Packaging:
- Tube
- Tradename:
- BIMOSFET
Цена по запросу
(от 4 740 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 12А, 160Вт, TO247-3 Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Brand: | IXYS |
| Series: | Very High Voltage |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | BIMOSFET |
| Вес, г | 8.88 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | IXYS |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Pd - Power Dissipation: | 160 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 3 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.2 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |