IXBH10N300HV, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 10А, 180Вт, TO247HV
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038539038
- Артикул
- IXBH10N300HV
- Бренд
- Ixys Corporation
- Вес, г
- 6.36
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- Through Hole
- Тип продукта
- IGBT Transistors
Цена по запросу
(от 2 037,05 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 3кВ, 10А, 180Вт, TO247HV Характеристики Категория Транзистор Тип БТИЗ Вид IGBT
Технические параметры
| Вес, г | 6.36 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка / блок | TO-247HV-3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Pd - рассеивание мощности | 180 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 88 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 34 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 3 kV |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |