Моя заявка (0)
IXBH10N170, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 140Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062289949
Артикул
IXBH10N170
Бренд
Ixys Corporation
Case
TO247-3
Mounting
THT
Technology
BiMOSFET™
Вес, г
6
Цена по запросу
(от 1 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
MountingTHT
TechnologyBiMOSFET™
Вес, г6
Gate charge30nC
ManufacturerIXYS
Turn-on time63ns
Turn-off time1.8µs
Kind of packagetube
Collector current10A
Power dissipation140W
Type of transistorIGBT
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current40A
Collector-emitter voltage1.7kV
Features of semiconductor deviceshigh voltage

Техническая документация