ISZ330N12LM6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 120 V, 24 A, 0.033 ohm, TSDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046467894
- Артикул
- ISZ330N12LM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 1.4 ns
Цена по запросу
(от 720 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power - это новое поколение, передовые инновации и лучшая в своем классе производительность. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления. Эти МОП-транзисторы доступны в узлаx с различным напряжением, включая 40 В, 100 В, 120 В, 135 В и 200 В.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 1.4 ns |
| Вес, г | 0.074 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | ISZ330N12LM6 SP005578331 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9.5 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.033 Ом |