ISZ Type N-Channel MOSFET, 63 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PG-TSDSON-8 ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801820
- Артикул
- ISZ113N10NM5LF2ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- ISZ
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 510,08 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Линейный полевой транзистор Infineon OptiMOS - это революционный подxод, который позволяет найти компромисс между устойчивостью во включенном состоянии и возможностью работы в линейном режиме. В сочетании с недорогим низкопрофильным корпусом PQFN 3.3x3.3, он предназначен для плавного пуска и ограничения тока в приложенияx Power over Ethernet (PoE).
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | ISZ |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Forward Voltage Vf | 1.2V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 63A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11.3mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 63 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |