OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 58 A, 100 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 ISZ0804NLSATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022604228
- Артикул
- ISZ0804NLSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Type
- N Channel
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 378,34 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор OptiMOS PD power MOSFET 100 В от Infineon предназначен для работы с USB-PD и адаптерами. Комплект поставки PQFN 3.3x3.3 обеспечивает быструю настройку и оптимизированное время выполнения заказа. Низковольтные МОП-транзисторы OptiMOS для подачи питания позволяют создавать конструкции с меньшим количеством деталей, что приводит к снижению себестоимости. OptiMOS PD предлагает качественные продукты в компактныx и легкиx корпусаx.
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 2.1W;60W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24nC@10V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.6nF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A;58A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0115 O, 0.0155 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 58 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.3V@28uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 58 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 16В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 11.5mΩ@20A, 10V |