OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 56 A, 60 V, 8-Pin PQFN 3 x 3 ISZ0703NLSATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033014021
- Артикул
- ISZ0703NLSATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- OptiMOS™ 5
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 365,40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор OptiMOS PD power MOSFET 60 В от Infineon предназначен для работы с USB-PD и адаптерами. Эти продукты обеспечивают быструю развертку и оптимизированное время выполнения заказа.
Технические параметры
| Series | OptiMOS™ 5 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0073 O, 0.0092 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 56 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 16В |