ISZ040N03L5ISATMA1, 30V 4mOhm@30A,10V 2V@250uA N Channel 1100pF@15V 17nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TSDSON-8-FL MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017669976
- Артикул
- ISZ040N03L5ISATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Pin Count
- 8
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 81 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Низковольтные МОП-транзисторы Infineon обеспечивают широкую доступность и конкурентоспособное соотношение цены и качества.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Pin Count | 8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.4 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TSDSON |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | ISZ040N03L5IS SP005408582 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 37 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4мОм |