ISZ033N03LF2SATMA1, MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040916288
- Артикул
- ISZ033N03LF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- ISZ
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 115,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon StrongIRFET 2 мощностью 30 В в корпусе PQFN 3,3 x 3,3. Мощный МОП-транзистор Infineon StrongIRFET 2 с теxнологией 30 В обеспечивает лучшее в своем классе значение RDS(on) в 3,3 Мом в корпусе PQFN 3,3 x 3,3. Этот продукт предназначен для широкого спектра применений - от низкой до высокой частоты переключения.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | ISZ |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Product Type | Power Transistor |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 71W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 109A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.3mΩ |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |