ISZ028N03LF2SATMA1, MOSFETs Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040916403
- Артикул
- ISZ028N03LF2SATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- ISZ
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Цена по запросу
(от 131,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Infineon StrongIRFET 2 мощностью 30 В в корпусе PQFN 3,3 x 3,3. Он оснащен лучшим в своем классе RDS (on), составляющим 2,8 Мом, в корпусе PQFN 3,3 x 3,3. Этот продукт предназначен для широкого спектра применений, от низкой до высокой частоты переключения. По сравнению с предыдущей теxнологией, она обеспечивает повышение RDS (on) на 40% при одновременном повышении FOM на 60% и превосxодной надежности.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | ISZ |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TSDSON-8 |
| Product Type | Power Transistor |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation Pd | 83W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 128A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.8mΩ |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |