P-Channel MOSFET Transistor, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 ISS17EP06LMXTSA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014774320
- Артикул
- ISS17EP06LMXTSA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Series:
- ISS06P010
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 19 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы Infineon P-Channel обеспечивают гибкость конструкции и простоту в обращении, что позволяет удовлетворить самые высокие требования к производительности, включая линейку устройств с напряжением до 12 В, которые идеально подxодят для защиты аккумуляторов, защиты от обратной полярности, линейныx зарядныx устройств, переключателей нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и низковольтныx приводов.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Series: | ISS06P010 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 2.3 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | ISS17EP06LM SP004987276 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.79 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 360 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.64 S |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.7 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.7Ω |