Моя заявка (0)

P-Channel MOSFET, 3.7 A, 60 V, 3-PIn SOT-223 InfIneon ISP650P06NMXTSA1

P-Channel MOSFET, 3.7 A, 60 V, 3-PIn SOT-223 InfIneon ISP650P06NMXTSA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066617708
Артикул
ISP650P06NMXTSA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series:
ISP06P003
Pin Count
3
Fall Time:
11 ns
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор Infineon P-Channel small signal имеет выводное покрытие, не содержащее свинца. Ток стока и напряжение сток-исток MOSFET равны -3.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Series:ISP06P003
Pin Count3
Fall Time:11 ns
Rise Time:14 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypeSOT-223
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-4
Part # Aliases:ISP650P06NM SP004987266
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:39 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:4.2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:12 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:37 ns
Id - Continuous Drain Current:3.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:8.3 S
Maximum Continuous Drain Current3.7 A
Rds On - Drain-Source Resistance:65 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000

Техническая документация