Моя заявка (0)

P-Channel MOSFET, 190 mA, 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMSATMA1

P-Channel MOSFET, 190 mA, 60 V, 3-Pin SOT-223 ISP25DP06LMSATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014778443
Артикул
ISP25DP06LMSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
3
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
6 ns
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канальные малосигнальные МОП-транзисторы Infineon OptiMOS™ мощностью 60 В в корпусе SOT-223 - это новая теxнология, предназначенная для применения в бытовыx условияx.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count3
Fall Time:3 ns
Rise Time:6 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeP
Package TypeSOT-223
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-223
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-223-3
Part # Aliases:ISP25DP06LMS SP004987240
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.9 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Maximum Drain Source Voltage60 V
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Id - Continuous Drain Current:1.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:4.4 S
Maximum Continuous Drain Current190 mA
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация