ISL9N308AD3-VB, 30V 80A 5mOhm@10V,38.8A 205W N Channel TO-252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025238615
- Артикул
- ISL9N308AD3-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Вес, г
- 0.4
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 205W
Цена по запросу
(от 53,31 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.4 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 205W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 31.5nC@4.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.201nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 270pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 308 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 205 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5mΩ@10V, 38.8A |