Моя заявка (0)

ISL9N308AD3-VB, 30V 80A 5mOhm@10V,38.8A 205W N Channel TO-252 MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025238615
Артикул
ISL9N308AD3-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.4
Корпус
TO-252
Структура
N-Channel
Power Dissipation (Pd)
205W
Цена по запросу
(от 53,31 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.4
КорпусTO-252
СтруктураN-Channel
Power Dissipation (Pd)205W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)31.5nC@4.5V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.201nF@15V
Continuous Drain Current (Id)80A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)270pF@15V
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А308
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт205
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)5mΩ@10V, 38.8A