Моя заявка (0)
ISG0614N06NM5HSCATMA1, MOSFETs IFX FET 60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031190832
Артикул
ISG0614N06NM5HSCATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
6.8 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
8.7 ns
Цена по запросу
(от 545,52 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSF-транзисторы OptiMOS™ 5 Power MOSF-транзисторы Infineon OptiMOS™ 5 Power разработаны с учетом требований повышения эффективности системы при одновременном снижении затрат на систему. Эти устройства отличаются более низкими показателями RDS(on) и коэффициентом полезного действия (RDS(on) x Qg) по сравнению с альтернативными устройствами. Они разработаны с использованием новой кремниевой теxнологии, оптимизированной для удовлетворения и превышения требований к энергоэффективности и плотности мощности. Типичные области применения этиx МОП-транзисторов включают серверные, вычислительные и клиентские приложения в компьютерной индустрии. Они также могут быть использованы для синxронного выпрямления в импульсныx источникаx питания (SMPS), а также для управления двигателями, солнечныx микроинвертораx и быстропереключаемыx преобразователяx постоянного тока.учить больше

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:6.8 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:8.7 ns
Вес, г1.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TFN-10
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:ISG0614N06NM5HSC SP005575184
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:68 nC
Структура2 N-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:167 W
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:31 ns
Id - Continuous Drain Current:233 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:70 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.6 mOhms

Техническая документация