Моя заявка (0)

ISG Type N-Channel Power Transistor, 299 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0613N04NM6HSCATMA1

ISG Type N-Channel Power Transistor, 299 A, 40 V Enhancement, 10-Pin PG-WHITFN-10-1 ISG0613N04NM6HSCATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060255704
Артикул
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
6.1 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
9.3 ns
Цена по запросу
(от 988,87 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 От Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 от Infineon Technologies представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления. Эти МОП-транзисторы доступны в узлаx с различным напряжением, включая 40 В, 100 В, 120 В, 135 В, 150 В и 200 В.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:6.1 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:9.3 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TFN-10
Part # Aliases:ISG0613N04NM6HSC SP005575174
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:69 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:167 W
Typical Turn-On Delay Time:15 ns
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Id - Continuous Drain Current:299 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:140 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.8 V

Техническая документация