ISG0613N04NM6HATMA1, MOSFETs IFX FET 40V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031189275
- Артикул
- ISG0613N04NM6HATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 6.1 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 9.3 ns
Цена по запросу
(от 583 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 6.1 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 9.3 ns |
| Вес, г | 21.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TFN-10 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | ISG0613N04NM6H SP005575170 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 69 nC |
| Структура | 2 N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 167 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 299 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 140 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 880 uOhms |