ISC Type N-Channel MOSFET, 24 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC320N12LM6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801819
- Артикул
- ISC320N12LM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 7 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 194,02 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 7 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | ISC320N12LM6 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 43 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 15 S |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.7 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 24 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |