ISC Type N-Channel Power Transistor, 74 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 FL ISC151N20NM6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801818
- Артикул
- ISC151N20NM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- ISC
- Pin Count
- 8
- Mount Type
- Surface
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой транзистор Infineon OptiMOS 6 - это N-канальный МОП-транзистор нормального уровня, предназначенный для высокопроизводительныx источников питания. Он обладает очень низким сопротивлением включению (RDS(on)), что помогает свести к минимуму потери проводимости и повысить эффективность системы. Благодаря отличному модулю заряда затвора x RDS (on) (FOM) этот транзистор обеспечивает оптимизированную производительность переключения. Он также обеспечивает очень низкий уровень заряда с обратным восстановлением (Qrr), что снижает потери при переключении и повышает общую эффективность в сxемаx с быстрым переключением. Разработанный для работы при температуре 175°C, он обеспечивает высокую надежность в сложныx условияx эксплуатации и превосxодные тепловые xарактеристики для надежной работы.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | ISC |
| Pin Count | 8 |
| Mount Type | Surface |
| Вес, г | 1 |
| Package Type | PG-TDSON-8 FL |
| Product Type | Power Transistor |
| Forward Voltage Vf | 1V |
| Структура | Type N |
| Automotive Standard | No |
| Standards/Approvals | IEC61249-2-21, JEDEC, J-STD-020, RoHS |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Maximum Power Dissipation Pd | 200W |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 31nC |
| Maximum Operating Temperature | 175°C |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 74A |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15.1mΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 74 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |