Моя заявка (0)

ISC Type N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 ISC130N20NM6ATMA1

ISC Type N-Channel MOSFET, 88 A, 200 V Enhancement, 8-Pin PG-TSON-8 ISC130N20NM6ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050801817
Артикул
ISC130N20NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
9 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 1 470 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:9 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:15 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TSON-8-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:ISC130N20NM6 SP005987558
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:39 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:242 W
Typical Turn-On Delay Time:10 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20 ns
Id - Continuous Drain Current:88 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:17 S
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А88
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация