Моя заявка (0)

ISC Type N-Channel MOSFET, 62 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC110N12NM6ATMA1

ISC Type N-Channel MOSFET, 62 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC110N12NM6ATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050801816
Артикул
ISC110N12NM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 337 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 120 В 11 А (Ta), 62 А (Tc), 3 Вт (Ta), 94 Вт (Tc) для поверxностного монтажа SuperSO8

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 35µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 26A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)3W(Ta), 94W(Tc)
Supplier Device PackageSuperSO8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A(Ta), 62A(Tc)
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А62
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В