ISC104N12LM6ATMA1, 120V 63A 10.4m @10V 94W 2.2V@35uA TDSON-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048219518
- Артикул
- ISC104N12LM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 2.5 ns
Цена по запросу
(от 338 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2.5 ns |
| Вес, г | 0.14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Package/Case: | TDSON-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | ISC104N12LM6 SP005586043 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 10.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 94 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 63 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 120 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |