Моя заявка (0)
ISC104N12LM6ATMA1, MOSFETs IFX FET 100-150V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018685337
Артикул
ISC104N12LM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
2.5 ns
Цена по запросу
(от 201,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2.5 ns
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Вес, кг1.1
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:ISC104N12LM6 SP005586043
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:10.4 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:94 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:63 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:30 S
Rds On - Drain-Source Resistance:10.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация