Моя заявка (0)

OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 37 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0803NLSATMA1

OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 37 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0803NLSATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033014018
Артикул
ISC0803NLSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Pin Count
8
Packaging:
Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 384,81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор OptiMOS PD power MOSFET 100 В от Infineon предназначен для работы с USB-PD и адаптерами.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS™ 5
Pin Count8
Packaging:Reel, Cut Tape
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-FL-8
Part # Aliases:ISC0803NLS SP005430489
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:43 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Id - Continuous Drain Current:37 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.3V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0169 O, 0.0219 O
Maximum Continuous Drain Current37 A
Rds On - Drain-Source Resistance:16.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А37
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт43
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В16В

Техническая документация