ISC Type N-Channel N-Channel Mosfet, 85 A, 120 V Enhancement, 8-Pin PG-TDSON-8 ISC078N12NM6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050801815
- Артикул
- ISC078N12NM6ATMA1
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 4.5 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 3.2 ns
Цена по запросу
(от 522,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 4.5 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 3.2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SuperSO-8 |
| Part # Aliases: | ISC078N12NM6 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 10.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 85 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 120 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 84 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |