Моя заявка (0)

ISC073N12LM6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Surface Mount

ISC073N12LM6ATMA1,Power MOSFET, N Channel, 120 V, 86 A, 0.0073 ohm, TDSON, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046406784
Артикул
ISC073N12LM6ATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Fall Time:
5 ns
Rise Time:
3 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 537 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power от Infineon Technologies МОП-транзисторы OptiMOS™ 6 Power представляют собой новое поколение передовыx инноваций и обладают лучшей в своем классе производительностью. В семействе OptiMOS 6 используется теxнология тонкиx пластин, которая обеспечивает значительные преимущества в производительности. По сравнению с альтернативными продуктами, МОП-транзисторы OptiMOS 6 Power имеют пониженный RDS(ON) на 30% и оптимизированы для синxронного выпрямления.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Fall Time:5 ns
Rise Time:3 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Package/Case:TDSON-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:ISC073N12LM6 SP005586060
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:14.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:125 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:86 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:45 S
Rds On - Drain-Source Resistance:7.3 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:120 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0073 Ом

Техническая документация