Моя заявка (0)

OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 57 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0703NLSATMA1

OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 57 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0703NLSATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025022623
Артикул
ISC0703NLSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Series
OptiMOS 5
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 333,07 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор OptiMOS PD power MOSFET 60 В от Infineon предназначен для работы с USB-PD и адаптерами. Эти продукты обеспечивают быструю развертку и оптимизированное время выполнения заказа.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
SeriesOptiMOS 5
Pin Count8
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeSuperSO8 5x6
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TDSON-FL-8
Part # Aliases:ISC0703NLS SP005417423
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.7 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:44 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Id - Continuous Drain Current:57 A
Maximum Gate Threshold Voltage2.3V
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Drain Source Resistance0.0069 O, 0.0089 O
Maximum Continuous Drain Current57 A
Rds On - Drain-Source Resistance:6.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:5000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А57
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0058 Ом

Техническая документация