Моя заявка (0)

OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 135 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0702NLSATMA1

OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 135 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 ISC0702NLSATMA1

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034101505
Артикул
ISC0702NLSATMA1
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
OptiMOS™ 5
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 368,64 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SP005417416, ISC0702NLS

Технические параметры

SeriesOptiMOS™ 5
Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN Channel
Package TypeSuperSO8 5x6
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation100Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage60 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.3V
Maximum Drain Source Resistance0.0028 O, 0.0035 O
Drain Source On State Resistance0.0023Ом
Maximum Continuous Drain Current135 A
Линейка ПродукцииOptiMOS 5
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока135А
Рассеиваемая Мощность100Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораTDSON
Максимальная Рабочая Температура175 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0023Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А135
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В16В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0023 Ом

Техническая документация